BDP286.pdf

(4506 KB) Pobierz
UKD
62
1.382.3
N O R M A
BRANŻOWA
ELEMENTY
PÓŁPRZEWODNIKOWE
Tranzystory
typu
SDP 280, SDP 282
,
BN-8?
3375-32/22
SDP 284, SDP 286
Grupa
kata
log
owa
1923
•
1.
Przedmiot
normy.
Przedmiotem normy
lowe
wymagania
bazą
dotyc
ząc
c
są
szczegó-
e pitaks
jalną
O
znaczenie
obudowy
stosowane przez producenta
- CE 30.
A
krzemowy
ch
z
tranzy storów
mocy
malcj
cZ\istotliwości
p- n- p
typu
p
l
a-
f
"""
-
~
1--/0/[1
E
E,
j
BDP
280,
J3DP
282, BDP 284,
HDP
286 w obudowie
:r:
-
,-
~r
r-
<:::1
~
'"
c::,
stykowej
CE 30 (TO_ 220AB),
przeznaczonych do
zastoso-
wall w
sprZ\icic
powszechnego
wymagających
użytku
J
oraz
w
urządzenia
c
h
zastosowania elementów o wysokie
j
i bardzo
i
zgodnie
z
okreś
l
eniami
wysokiej
T -01
5
15 .
jakośc
wg
PN-78
/
45~~
t
c
I
I
Tranzy
story
łączają
cyc
h
są
prz
ez
n
ac
zone do pracy w
układach
prze -
r-
!
I
!
I
I
i
,
,
I
b,
b
mocy, w
sze
regowych i
równoległych
regul
a
-
ste
-
-"
torach,
we
wzmacniac zac
h m.
cz
.
mocy i w stopniach
rując
yc
h
i
końcow
ych
wzmacniaczy
.
..l.
B'
C
E
e
e,
leN
87/3375':l2/1Bl
Tranzys tory
typu
BDP 280
,
BDP
282, BDP
284, BDP286
są
komplementa
r
ne odpowiednio do tranzystorów BDP
279,
Rys.
1.
Obudowa
CE 30
Tabli
ca
1.
Wymiary
obudowy CE 30
BDP281,
BDP
283,
BDP 285
.
Katego ria klimatyczna dla tranzystorów:
-
standardowej
jakości
(po
ziom
jakości
I
)
- wysokiej
j
akości
(poziom
i.akości
Ill)
-
-
40/100
/
10,
-
40/100/21,
Symbol
wymiaru
Wymiary,
mm
min
1
2
4,06
0,64
1,22
0,38
14,61
2,03
4,57
nom
3
max
4
4,83
0,89
1,40
0,43
15, 88
3,05
5,64
bardzo
wysokiej
jakości
(poziom
jakości
I
V)
-
40/
100/56
.
2.
Przykład
A
oznaczenia
jakości
:
-
b
b
1
a) tranzystorów standardowej
-
-
TRAN
ZY
STOR BDP
286
BN
-
87
/
3375- 32/22
b
)
tranzys torów
wysokiej
jakości:
c
D
-
-
-
-
1,27
TRANZYSTOR
BDP 286/3 BN-87/3375-32/22
c
)
tranzystorów bard
z
o wyso kiej
TRANZYSTOR BDP
286/4
jakości:
e
e
1
BN
-
87/3375- 32/22
zawie
rać
nast
ę
-
F
-
5,':!7
2,16
12,7
7,62
3,58
2,54
1,02
10,03
9,20
7
62
-
6,73
2,92
3. Cechowanie
tran
z
ystorów powi nno
p
ujące
Hi
J
1
-
-
-
-
-
-
dane:
na
z
wę
a)
producenta,
L
-
8,89
3,63
3,05
1,52
10,41
9,40
8,13
b
)
oznaczenie typu,
c)
oznakowanie dodatkowe dla tranzystorów wysokiej
bardzo
wysokiej
winny
być
i
tp
p
Q
L
1
jakośc
i;
tranzystory wysokiej
j
akości
po
-
znakowane
cyfr
ą
3, a tranzystory bardzo
wyso-
z
E
kiej
jakości
cyfrą
4
umieszczoną
po oznaczeniu
t
ypu
.
4
.
Wymiary i oznaczenie
rys
.
1
i
tabl.
1.
wyprowadzeń
tranzystora - wg
Ef
E
2
-
-
-
-
przez
Fabry k
ę
Półprzewodn
ikó
w
TEWA
Usta nowiona
przez
Dyrekt
ora
Naukowo- Produ
kcyj
nego
Centrum
Półprze w
o
dnik
ó
w
dnia 15
kwiet
nia 1987
r.
ja
ko norma
o
b
o
w
iązując
a
od dnia 1
p
aź
dzi
e
rni
k
a
1987
r.
(Dz.
Norm.
i
Miar nr 11
/
1987,
poz.
27)
WYDAWNICTWA
NORMALIZACYJNE
..ALFA··
1987.
Druk
.
Wyd
.
Norm. W,wa
,
Ark
.
wyd. 1,30
Nakł
.
2500'
40 Zam. 1396/87
Z
g
ł
oszo
na
Cena
zł
45,00
2
BN-87
/
3375- 32/22
:.>.
l.ladania
w
grupie A
,
B!
C
i D -
wg
BN- 80
/
3375-32
/
00
c
)
badania
podgrupy
A3 -
sprawdzenie
parametrów
e
l
ek
t
rycznych
wg
tablo
3,
drugorzędnych
p.
:i
.
1.
d) badania
podgru py A4 -
sprawdzenie parametrów
eIek-
o
trycznych w temperaturze
t
a
m
b
=
100
C (poziom
lI
!
i
IV)
6
.
Wymagania
szcze
gółowe
do
badań
grupy A, B
,
C i D
a
)
badania
podgrupy Al
-
sprawdzenie
wymiarów
A
,
wg tabI. 4,
e) badanie podgrupy B,
C i
D wg tabI.
5,
f)
parametry
elektryczne
sprawdzane w czasie
i po
b,
wg
b
"
D
,
e -
w
od
l
eglości
6,45;
6,50 mm od
1
rys
.
l
i
tabl. l,
obudowy
ba-
daniach
grupy
B, C i D
wg tablo
6,
g)
wartość
AQL d
l
a
jakości
podstawowej - d
l
a
C2
-
4%,
dla
podgrupy C4
-
2,5%.
podgrupy
b
l
badania
podgrupy A2
-
sprawdzenie
podstawowych pa-
rametrów
elektrycznych wg
tabI. 2,
a)
,---..------'-'0
/te
-
-12V
b}
Napięcie
(
\
15.52
120Q
5W
kolektor em[t(}{
70V 50V JOV
:
I
5Om/
I
I
I
I
!W
tOmH
.
np.l1il1er
Odchl/{ome
nr
4533
1/-'1
pionowe
1S/.
1%0,5'11
bezioouk
DscIjI05kop
HP model 130B
-
ł-
-:-
-
I
i--+
-
--
-
I
I
I
I
l
l
l
;--&~~~--_4
1romA
~
fe
1
lub
równorzędni;
~
~
!OOg
o,
5
W
IIrBRi
CE
a
o
:rt
poziome
x-x
!BN-87/337H2/22-2!
+U
cc
Rys. 2.
Metoda pomiaru
al
uKŁad
napięć
przebicia kolektor-emiter
napięć
pomiar owy, b)
oscylo~ram
prze
bicia
Tablica
2
.
Parametry
e
l
ektryczne
s
prawdzane
w
badaniu podgrupy A2
(poziom
I, 111,
IV)
Wartości
graniczne
BDP
284
min
10
max
11
BDP 286
mi n
Lp.
Oznaczenie
literowe
parametru
Metoda pomiaru
wg
Warunki pomiaru
Jednostka
miary
BDP 280
min
BDP 282
max
9
l
max
min
7
l
8
max
13
l
l
2
3
PN
-
75/T -01504/09
-
U
CEO
=
=
=
4
20V
40
V
60
V
5
6
'12
-l
CE
-
mA
-
-
-
30
5
-
-
l
-
-
-
l
-U
C
EO
CEO
-
-
,-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
-
70
5
-U
2
3
4
_
1
-
-
-
-
U
(BR )CEO
-
U
(BR )EBO
rys
.
2
-l
C
= 100 mA,
l
= O
'
B
V
25
3
25
-
-
PN
-
74/T -01504/04 -
IE
=lmA;
IC
=O
PN
-
74/T
-
0
1504/08 _Ucr;:
= 4
V
j
-lc
=1/1
V
-
-
-
-
-
-
-
200
'5
-
-
30
h
21E
1)
-
-
30
-
200
-U
-U
-U
5
6
-
U
1
CE
CE
CE
= 4
V;
-
I C
=2 /1
=
4
Vj
-
I
c=2,5
/1
=
4
Vi
~
Ic
= 3
jI,
-
-
lo
-
-
V
-
-
30
40
-
200
-
-
-
-
250
-
60
-
-
-
100
-
80
-
-
-
(
BR
)CER
rys.
2
-
l
c
=O,
l
A;
R
BE
=100
n
30
-
100
-1
CER
PN
-
75/T
-01504/09
-U
CER
= 30
V
p.
A
-
-
-
-
-
-
-
-
-U
-U
CER
=50V
CE
R
= 70
V
,
-
-
-
-
-
100
-
-
-
-
-
1)
Pomiar impulsowy:
t
p
~
300
p.
s
j
tJ
~
2%
.
BN-87/3375-32
/
22
Tablica 3. Parametry
elektryczne
sprawdzane w badaniu podgrupy A3
i
C2
(,poziom
l, III, IV)
3
Lp
.
Oznaczenie
literowe
parametru
Metoda
pomiaru
wg
Warunki
pomiaru
Jednostka
miary
Wartości
graniczne
BDP 284
min
max
BDP 280
min
BDP
282
min
BDP 286
min
max
7
l
max
9
max
13
l
2
l
-U
C
E
sat
3
4
5
6
8
10
11
12
1)
PN-74
/
T
-
01504
/06
_l
c
~
1
A;
-
l
B
=0,
l
A
-l
-l
-l
-
-
V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
-
-
-
1
e
e
e
e
=2 Aj
-lE
=0,2 A
=2,5Aj-
1B=0,25
A
=3 Aj
-
l
B
=0,3
1\
=1 A;
-lB
=0, l A
-
-
-
-
-
-
-
-
V
-
-
1,8
-
1
-
-
-
1,8
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
1,8
2
-U
.
1)
sat
BĘ
PN-74/
T-
01504/06
-l
-
-
-
-
10
-
-
-
1
,8
-le
=2 Aj
-
l
B
=0,2
A
-le
=2,5 A;-l
B
=0,
25A
-l
3
-
-
-
8
-
-
-
-
-
-
-
-
e
=3 Aj
-l
=0,3
A
·B
MHz
-
10
-
-
t
T
C
CBO
PN
-
74/T-01504/24
-
UCE =4
V;-
lc
=0,5 A
f
PN
-
74
/
T
-
01504/22
-
250
= l
MHz
-
250
4
-UCB
=10
Vjf
=lM:Hz
~~
2%.
pF
-
250
-
-
250
-
1)
Pomiar impulsowy
t
p
:s
300
,.,
s;
Tablica 4
.
Parametry elektryczne sprawdzane
w badaniu
podgrupy A4
(
poziom
III
i IV)
Wartości
graniczne
BDP 284
BDP 286
min
9
max
10
min
Oznaczenie
literowe
parametru
Metoda
pomiar u
wg
War unki pomiaru
,
Jednostka
mi
ary
BDP 280
min
BDP
282
min
max
6
5
max
8
2
max
12
l
2
o
3
4
5
7
11
-leER
PN-75
/T
-01504/09 ta
mb
=l OO Cj
-
U
CEO
=30 V
-U
CEO
-
mA
=50
V
-
=70
V
RB
E
~
lOO
O
j
-U
CEO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
4
BN
-
87/3375-32
/
22
Tablica
5
.
Wymagania
szczegóło've
do
badań
grupy
.
B
, C i
D
Lp.
l
l
Podgrupa
2
131,
C
I
badań
Rodzaj
badania
3
Sprawdzenie
wytrzymałości
mechanicz
-
nej
wyprowadzeń
Wymagania
szczegółowe
4
próba
Ub
,
metoda
2j
5N
3 cykle, próba
U
a1;
10
N
Sprawdzenie
2
133
Sprawdzenie
s
wobodne
Sprawdzenie
wielokrotne
szczelności
próba
Qt
na spadki
tranzystora
w
czasie spadania
wyprowadzeniami
do
góry
położenie
wytrzymałości
3
B4 i
C4
wytrzymałości
na udary
mocowanie
za
obudowę
4
136 i
C6
Sprawdzenie'
odporności
na
narażenia
elektryczne
wg
PN-78
/
T -01515 p.
5
.
3.22
tabl.
5;
metoda
badania a),
układ
OB
BDP 280
=17,
5Vj
-
l
e=
100 mA
-U
CE
BDP 282
- U eE
=21 Vj
BDP 284
=35
V
j
-U
CE
BDP 286
-l
e
=
85 mA
-l
e
=
50
mA
-U
CE
=50
V
j
- l
e
= 36 mA
'3
6
C3
C4
Sprawdzenie masy
Sprawdzenie
wytrzymałości
na
przy-
spieszenie
stałe
2 g
kierunek
probierczy:
obydwa kierunki
wzdłuż
osi
mocowanie
za
obudow
ę
wyprowadzeń,
Sprawdzenie
wielokrotne
wytrzymałości
na uda ry
mocowanie za
obudowę
Sprawdzenie
wytrzymałości
na
wibra-
cje
o
stalej
częstotliwości
7
CS
Sprawdzenie
lutowania
wytrzymałości
na
ciepło
temperatura
kąpieli
o
350 C
8
9
10
ClO
Dl
(
poziom
III
i
IV
)
D2
Sprawdzenie wymiarów
Sprawd zenie
odporności
na
niskie
ci
śnien
ie
atmosferyczne
Sprawdzenie
puszczalniki
Sprawdzeni e
wytrzymałości
wg rys.
1
i
tabl.
1
temperatura
narażenia
o
25 C
na
roz
-
alkohol
e
tylowy,
aceton
11
12
D3
D4
(
poziom
jakości
I
II
i
IV)
palności
palność
zewnętrzna
Sprawdzenie
Sprawdzenie
wytrzymałości
na
na
pl eśń
brak
po
ro
stu
poło
żenie
pleśni
po badaniu
13
D5
(
poziom
jakości
wytrzymałości
mglę
tranzystora dowolne
Uli
IV
)
solną
Tablica 6
.
Parametry e
l
ektryczne s
prawdzane
w
czasie i
po
badani ach grupy B, C
i
D
(
poziom
l,
III i IV
)
Podgrupa
badań
Lp.
l
l
Oznaczenie
literowe
parametru
2
-[CER
Metoda pomiaru
wg
3
PN-7Str
-01S04/09
Warunki
pomiaru
Jednostka
miary
Wartości
BDP 280
min
BD
P
282
max
8
250
min
graniczne
BDP
284
min
BDP 286
min
max
10
100
max
12
max
14
4
30
V
SO
V
S
Bl,
B3, B4,
BS
CI, C2, C3, C4
1)
CS,
eJ,
C9, Dl
p.
A
6
7
9
11
13
-
-
L
B
= O
II
70
V
30
V
t.l
-
-
p.
A
-
-
1200
-
-
-
-
-
-
-
SOO
B6,
C6, C8
-
R
BE
=100
fi
t
I:t:
~
\.J
50
V
70
V
30
V
50
V
70
V
C
-
-
1T
2
mA
-
-
S
-
-
2
-
-
-
-
-
-
100
-
-
-
-
-
.
-
-
100
-
-
500
-
-
SOO
-
-
-
2S
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
2
2
h
2
lE
2)
PN-74/T
-
01S04/08
l
A
2A
BI,
B3, B4,
BS
CI, C2, C3, C4
1)
C5, C7, C9, Dl
2.S A
3A
-
-
-
-
-
B6,
C6, C8
20
-
-
-
-
-
-
-
30
-
200
o:J
Z
-
-
200
-
200
-U
CE
=
4
.
V
...
I
II
lA
2,0
A
2,5 A
3A
lA
2A
2,S A
3A
-
-
-
23
-
-
.
\.J
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
-
23
-
-
-
2S0
-
-
-
23
-
,
-
-
2S0
--
'-J
(,)
(J)
W
'-J
V1
,
-
250
-
-
-
C
1)
2
-
-
-
lS
-
-
-
-
lS
-
-
-
-
-
--
N
N
N
W
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
-
-
-
-
1)
W
czasie
badania.
2)
Pomiar
impulsowy
t
p
~
300
ILs,
tS
~
2%.
7.
Pozostałe
postanowienia -
wg
BN- 80/3375-
32/00
.
KONIEC
Wormacje dodatkowe
V1

Plik z chomika:

Inne pliki z tego folderu:

Inne foldery tego chomika:

Zgłoś jeśli naruszono regulamin