nanomaterialy08.pdf

(415 KB) Pobierz
Wykład VIII, 24.04.2006
Technologie cienkowarstwowe otrzymywania nowoczesnych
materiałów półprzewodnikowych dla elektroniki i optoelektroniki:
Obserwacje „in situ” procesów wzrostu homo- i hetero-
epitaksjalnego materiałów półprzewodnikowych;
Właściwości półprzewodników samoistnych
i domieszkowanych.
Obserwacja „in situ” wzrostu cienkich warstw z nm zdolnością
rozdzielczą (według B. Voigtlaendera, Centrum Badawcze
Juelich, Niemcy)
Schemat mikroskopu STM z komórką efuzyjną do epitaksji z wiązki
molekularnej (MBE)
http://www.fz-juelich.de/video/voightlaender/
Homoepitaksja Si(001) w temperaturze 725 K
Szybki wzrost „postrzepionych”
stopni atomowych i wolny stopni
„gładkich”. Można zaobserwować
tworzenie się wysp i ich zlewanie
z górnymi tarasami.
Ref.: PRL 78(1997) 2164
300 nm x 300 nm
http://www.fz-juelich.de/video/voightlaender/
Homoepitaksja Si(001) w temperaturze 825 K
W tej temperaturze możemy
obserwować „płynięcie” stopni
atomowych. Początkowo
średnia
orientacja stopni (normalna)
tworzy 30
o
z kierunkiem [110]
rzędów „dimerów” rekonstrukcji.
Podczas „płynięcia” stopnie zdają
się obracać aż do kierunku
równoległego do rzędów.
http://www.fz-juelich.de/video/voightlaender/
Homoepitaksja Si(111) w temperaturze 775 K
http://www.fz-juelich.de/video/voightlaender/
Wzrost postępuje wzdłuż rzędów zagłębień o szerokości komórki elementarnej
zrekonstruowanej powierzchni Si(111) (7x7). To prowadzi do stabilizacji tylko
„magicznych” rozmiarów wysp: 4,9,16,25,... odpowiadających kolejnym połówkom
komórki elementarnej. Ref.: PRL 81(1998)858.

Plik z chomika:

Inne pliki z tego folderu:

Inne foldery tego chomika:

Zgłoś jeśli naruszono regulamin